Type/Dopant 导电类型/掺杂元素 |
N-Type/Si |
P-Type/Zn |
Dopant/掺杂元素 |
As, Sb |
Ga |
Growth Method 长晶方式 |
CZ |
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Diameter 直径 |
2", 3", 4", 6" |
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Orientation 晶向 |
(100)±0.5° |
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Thickness 厚度 (µm) |
175-500um±25um |
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OF/IF 参考边 |
US EJ |
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Resistivity 电阻率 (ohm-cm) |
0.005-30 |
0.005-0.4 |
Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) |
<300 |
<300 |
TTV 平整度 [P/P] (µm) |
<15 |
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TTV 平整度 [P/E] (µm) |
<25 |
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Warp 翘曲度 (µm) |
<25 |
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Surface Finished 表面加工 |
P/P, P/E, E/E |
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